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活性氧(Reactive oxygen species, ROS)主要包括超氧陰離子(·O2-)、過(guò)氧化氫(H2O2)、羥自由基(·OH)等。在細(xì)胞或組織的正常生理代謝過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生活性氧,同時(shí)一些環(huán)境因素例如紫外照射、γ射線照射、環(huán)境污染等也可以誘導(dǎo)活性氧的產(chǎn)生?;钚匝醍a(chǎn)生后,可以導(dǎo)致細(xì)胞內(nèi)脂、蛋白和DNA等的氧化損傷,誘發(fā)氧化應(yīng)激(Oxidative stress),繼而可能導(dǎo)致風(fēng)濕性關(guān)節(jié)炎、糖尿病、肝損傷、以及神經(jīng)系統(tǒng)疾病等
Dihydroethidium簡(jiǎn)稱DHE,Dihydroethidium是一種常用的超氧化物陰離子熒光檢測(cè)探針??梢灾苯佑糜诨罴?xì)胞的標(biāo)記。Dihydroethidium被活細(xì)胞攝入后,可以在細(xì)胞內(nèi)的超氧化物陰離子作用下脫氫,產(chǎn)生Ethidium。Ethidium (例如溴化乙錠)可以和RNA或DNA結(jié)合產(chǎn)生紅色熒光。當(dāng)細(xì)胞內(nèi)的超氧化物陰離子水平較高時(shí),產(chǎn)生的Ethidium較多,紅色熒光就較強(qiáng),反之則較弱。這樣就可以用dihydroethidium進(jìn)行超氧化物陰離子水平的檢測(cè)
運(yùn)輸與儲(chǔ)存:
冰袋運(yùn)輸;-20℃長(zhǎng)期保存;有效期12個(gè)月
使用方法:
ROS工作液配置:PBS稀釋100-300倍原液,不同類型的細(xì)胞染色效果可能不同,染色工作濃度進(jìn)行預(yù)實(shí)驗(yàn)摸索;
避光保存,現(xiàn)配現(xiàn)用。
實(shí)驗(yàn)步驟:
1.冰凍切片取出室溫放置3小時(shí)
2.滴加ROS工作液,37℃孵育30-60分鐘,pbs洗3次。每次5min
4.DAPI染核
5.抗熒光猝滅封片劑封片
6.顯微鏡鏡檢或掃描成像。
本試劑為藍(lán)色熒光,Ex為355 nm,Em為420 nm;當(dāng)DHE脫氫和核酸結(jié)合后顯示為紅色熒光,Ex為520 nM,Em為605 nM
活性氧(Reactive oxygen species, ROS)主要包括超氧陰離子(·O2-)、過(guò)氧化氫(H2O2)、羥自由基(·OH)等。在細(xì)胞或組織的正常生理代謝過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生活性氧,同時(shí)一些環(huán)境因素例如紫外照射、γ射線照射、環(huán)境污染等也可以誘導(dǎo)活性氧的產(chǎn)生。活性氧產(chǎn)生后,可以導(dǎo)致細(xì)胞內(nèi)脂、蛋白和DNA等的氧化損傷,誘發(fā)氧化應(yīng)激(Oxidative stress),繼而可能導(dǎo)致風(fēng)濕性關(guān)節(jié)炎、糖尿病、肝損傷、以及神經(jīng)系統(tǒng)疾病等
Dihydroethidium簡(jiǎn)稱DHE,Dihydroethidium是一種常用的超氧化物陰離子熒光檢測(cè)探針??梢灾苯佑糜诨罴?xì)胞的標(biāo)記。Dihydroethidium被活細(xì)胞攝入后,可以在細(xì)胞內(nèi)的超氧化物陰離子作用下脫氫,產(chǎn)生Ethidium。Ethidium (例如溴化乙錠)可以和RNA或DNA結(jié)合產(chǎn)生紅色熒光。當(dāng)細(xì)胞內(nèi)的超氧化物陰離子水平較高時(shí),產(chǎn)生的Ethidium較多,紅色熒光就較強(qiáng),反之則較弱。這樣就可以用dihydroethidium進(jìn)行超氧化物陰離子水平的檢測(cè)
運(yùn)輸與儲(chǔ)存:
冰袋運(yùn)輸;-20℃長(zhǎng)期保存;有效期12個(gè)月
使用方法:
ROS工作液配置:PBS稀釋100-300倍原液,不同類型的細(xì)胞染色效果可能不同,染色工作濃度進(jìn)行預(yù)實(shí)驗(yàn)摸索;
避光保存,現(xiàn)配現(xiàn)用。
實(shí)驗(yàn)步驟:
1.冰凍切片取出室溫放置3小時(shí)
2.滴加ROS工作液,37℃孵育30-60分鐘,pbs洗3次。每次5min
4.DAPI染核
5.抗熒光猝滅封片劑封片
6.顯微鏡鏡檢或掃描成像。
本試劑為藍(lán)色熒光,Ex為355 nm,Em為420 nm;當(dāng)DHE脫氫和核酸結(jié)合后顯示為紅色熒光,Ex為520 nM,Em為605 nM